Транзистор: IPB107N20N3GATMA1
- Производитель: Infineon Technologies
- Доступность: На складе
- Код товара: 113112
- Минимальный заказ: 5 шт.
594.85 р.
 |
Гарантия Гарантируем полную работоспособность заказанного товара |
 |
Быстрая поставка Гарантируем минимальный срок доставки и полную комплектацию заказа |
 |
Большой ассортимент Мы подберем для вас все необходимые комплектующие |
Характеристики
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 200 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 9,6 |
| Заряд затвора, нКл | 65 |
| Описание | 200V, 88A N-Channel MOSFET |
| Максимальный ток | коллектора (Iк max) - 88 А |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 3В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 300 Вт |
| Вес брутто | 2.08 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | TO-263 (D2PAK) |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 40*40*40/1000 |
Описание
Транзистор: IPB107N20N3GATMA1 в наличии и под заказ, а также другие Транзисторы разные в каталоге ПромКипЭлектро.
Звоните или заказывайте Транзистор: IPB107N20N3GATMA1 через сайт.
Предлагаем оптовые цены при объемном заказе.
Если Транзистор: IPB107N20N3GATMA1 не в наличии, или вам нужна другая модель, то сообщите нам.
Мы найдем для вас нужный товар и сделаем поставку в кратчайший срок.
